在第一期中，我們?yōu)榇蠹腋爬ń榻B了太陽(yáng)能發(fā)電原理、太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件、光伏控制器、光伏逆變器等內(nèi)容。接下來(lái)將開(kāi)始深入地講解。本期我們將著重說(shuō)明太陽(yáng)能電池的制造工藝詳細(xì)流程、單晶硅和多晶硅的區(qū)別、單晶硅和多晶硅電池片的區(qū)別以及逆變器的概念，將知識(shí)串連起來(lái)以便讀者學(xué)習(xí)和了解。

　　晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程

　　晶體硅太陽(yáng)能電池的制造工藝流程說(shuō)明如下：

　?。?）切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。

　?。?）清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去30－50um。

　?。?）制備絨面：用堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。

　　（4）磷擴(kuò)散：采用涂布源（或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源）進(jìn)行擴(kuò)散，制成PN＋結(jié)，結(jié)深一般為0.3－0.5um。

　?。?）周邊刻蝕：擴(kuò)散時(shí)在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層，會(huì)使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。

　?。?）去除背面PN＋結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結(jié)。

　　（7）制作上下電極：用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。

　　（8）制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上復(fù)蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。

　?。?）燒結(jié)：將電池芯片燒結(jié)于鎳或銅的底板上。

　?。?0）測(cè)試分檔：按規(guī)定參數(shù)規(guī)范，測(cè)試分類。

　　由此可見(jiàn)，太陽(yáng)能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導(dǎo)體器件基本相同，生產(chǎn)的工藝設(shè)備也基本相同，但工藝加工精度遠(yuǎn)低于積體電路芯片的制造要求，這為太陽(yáng)能電池的規(guī)模生產(chǎn)提供了有利條件。